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【兆声清洗设备】氮化铝单晶的湿法化学蚀刻

浏览: 作者: 时间:2023-04-10

引言

清洗过程在半导体制造过程中,在技术上和经济上都起着重要的作用。超薄晶片表面必须实现无颗粒、无金属杂质、无有机、无水分、无天然氧化物、无表面微粗糙度、无充电、无氢。硅片表面的主要容器可分为颗粒、金属杂质和有机物三类。许多旨在消除污染物的湿式清洁过程已经开发出基于RCA清洁。因此,RCA清洁技术带来了经济和环境问题,预计这将在不久的将来被强制考虑。为了解决这些问题,研究了先进的清洗方法,如氢化超纯水、臭氧化水和电解水。【英思特】【湿法制程】【兆声清洗设备】【RCA清洗机】【KOH腐殖清洗机】

实验

本研究中使用的电子战产生装置如图1所示。该装置由三个腔室组成,分别是阳极、阴极和中间的腔室。电子战产生的方块流程图如图2所示。在UPW供应到每个室期间,电解质通过中间罐供应到中间室。用UPW电解或稀释的电解质如氢氧化铵、盐酸、NH&C1进行电解,电解电流为9A,电压为10.5V。为了比较AWCW在稀HF~2%)处理过的硅晶片表面上的特性,我们用SEO 300A测量了接触角。测定了电子战和电子战温度中的溶解氧(EXD)的含量,作为影响电子战稳定性的变量。最后,用Perkin Elmer 1730xFT-IR测定EW中的二氧化碳浓度。【RCA清洁设备】【晶圆清洁设备】【马来西亚戈尼干炎装备】【兆声清洗】

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1。电解装置的原理图

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2。电解水产生的区块流程图。

结果和讨论

  在本实验中,RCAHPM分别在65°C下清洗,其中含有约6I化学品,而EW在室温下清洗,只使用400m£HC1电解液或600NH4CI电解液。电子战中的化学物质浓度是RCAHPM清洗过程中的1/22T/10倍。通过在清洗过程中使用电子战去除金属,预计不仅可以节省化学品,而且还可以大大减少冲洗UPW的量。图3显示了通过各种电子战去除过程得到的归一化粒子分布。尽管电子战去除过程,粒子分布保持相同的模式。我们观察到,电子战不能充分去除0.16伽的粒子。粒径低于0.16/zm对于下一代器件的制造至关重要。因此,在今后的工作中,必须更仔细地应用电子战去除颗粒。【湿法刻蚀】【湿法制程设备】【湿法设备制造厂家】【RCA清洗设备】【马兰戈尼干燥设备】【晶圆清洗设备制造厂家】

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3。颗粒去除过程后的分布

结论

超纯水被电解清洗介质,用于下一代制造。得到的阴极水(CW+1050 mV/4.7ORP/pH和分别为阳极NHQ 750 mV/9.8,分别为NH4CI电解质水(AW)电解液。用稀释的HC1产生的电解水(EW)或能非常有效地去除硅片表面的金属杂质。尽管有不同的去除过程,颗粒分布仍保持了相同的模式。电解后AWCW恶化,这似乎是由于二氧化碳在电解水中过饱和,但保持其特性超过40分钟,足以进行清洗。【兆声清洗设备】【湿法刻蚀设备】【晶圆清洗设备】【江苏英思特半导体科技有限公司】

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