引言
的电子性质对微量外来物质的存在极为敏感。掺杂半导体的这一基本性质是制造电子器件的基础。从基于半导体的电子器件的诞生开始，很明显，不希望的杂质必须保持在非常低的水平，而材料净化方法对这些器件的成功运行至关重要。清洁领域由于污染经常接近可检测极限的边缘而变得复杂；因此，清洁科学的进步与计量学的进步紧密相关。【】【】【晶圆清洁设备】【】【KOH腐殖清洗机】
长期以来，大块半导体的电子特性，如自由载流子寿命，是污染的主要测量技术。近年来，高金栅堆和替代半导体材料，如SiGe，Ge，甚至III-V化合物半导体已被引入或考虑用于下一代器件。与硅不同的是，许多这些材料倾向于受到“RCA”类水溶液氧化清洁混合物的攻击。因此，必须开发替代品，如溶剂基清洁。【】【RCA清洁设备】【马来西亚戈尼干炎设备】【】【】
实验
集成电路的制造需要无数的液体基蚀刻和清洗过程，然后是冲洗和干燥步骤。界面现象，如润湿、扩散、吸附、粘附和表面电荷，对决定液体基工艺步骤的可行性和效率起着关键作用。利用平衡常数（Κ和K2）进行质子化反应(Eq。1.1)和脱质子化反应(Eq。1.2)SiOH位点，Si02上的正、负电荷和零电荷即0+、Θ和0g的比例可以计算为溶液pH的函数。使用Κ和K2值分别为1007和10 39的Si02的计算结果如图1所示。【制造厂家】【晶圆清洗设备制造】【晶圆清洗设备】
图1。用Kt=10”7和K2 = 10 19计算的不同pH值下，Si02表面上的正、负和中性位点的分数。
结果和讨论
氮化硅薄膜最常用的方法是使用化学气相沉积（CVD）技术来沉积，其中硅烷（SiH）与氨（氨）发生反应。等离子体增强的CVD（PECVD）形成SiNx，低压的CVD（LPCVD）形成氮化硅。因此，氮化硅薄膜可能含有高达5-6个原子%的氢，特别是那些由PECVD形成的氢。如图2所示，这些薄膜通常具有胺（-氨基）表面基团，根据它们的pKa值，它可以被质子化，从而形成带正电荷的位点。氮化物膜表面的负位点被认为是由表面胺基与水反应形成硅烷醇（Si-OH），然后脱质子化形成带负电荷的SiO位点而产生的。【KOH腐殖清洗机】【RCA清洗机】【】
图2。氮化硅薄膜在水中的充电；胺端表面位点的质子化导致形成带正电荷的位点，这些位点可能与水反应形成硅醇基团。
结论
氮化膜表面的负位点被假定是由表面胺基与水反应形成硅醇（Si-OH），然后脱质子形成带负电荷的SiO位点产生的。氮化物薄膜的等电点可以根据-氨基基团的水解强度而变化很大，而水解强度又取决于溶液的pH值、离子强度和温度。【】【】【】
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