金属辅助化学蚀刻使用两个步骤。首先，使用软光刻技术在晶圆顶部形成一层薄金图案（左）。金催化化学反应，从上到下蚀刻半导体，为光电应用创建三维结构（右）。【设备】【设备】【】【晶圆清洗设备制造】【晶圆清洗设备制造厂家】
研究表明，半导体的物理特性会根据其结构而变化，因此半导体晶圆在组装成芯片之前被蚀刻成可调整其电气和光学特性以及连接性的结构。半导体通常采用两种技术进行蚀刻：“湿法”蚀刻使用化学溶液从各个方向腐蚀半导体，而“干法”蚀刻使用定向离子束轰击表面，雕刻出定向图案。高纵横比纳米结构或具有较大高宽比的微小形状需要此类图案。高纵横比结构对于许多高端光电器件应用至关重要。【】【】【兆声清洗设备】
虽然硅是半导体器件中最普遍的材料，但 III-V 族（发音为 3-5）的材料在光电应用（如太阳能电池或激光器）中效率更高。不幸的是，这些材料可能难以干法蚀刻，因为高能离子爆炸会损坏半导体表面。III-V 族半导体特别容易损坏。【湿法刻蚀设备】【晶圆清洗设备】【半导体】【半导体】
金属辅助化学蚀刻该过程有两个步骤。首先，在 GaAs 表面形成一层金属薄膜。然后，将具有金属图案的半导体浸入 MacEtch化学溶液中。金属催化反应，因此只有接触金属的区域被蚀刻掉，随着金属沉入晶圆，形成高纵横比结构。蚀刻完成后，可以在不损坏金属的情况下从表面清洁金属。【】【】【晶圆清洁设备】【】【KOH腐殖清洗机】【】
能够以这种方式蚀刻砷化镓是一件大事，通过湿法蚀刻实现高纵横比 III-V 族纳米结构阵列可能会改变半导体激光器的制造，目前半导体激光器的表面光栅是通过干法蚀刻制造的，这种方法既昂贵又会造成表面损坏。【RCA清洁设备】【马来西亚戈尼干炎装备】【兆声清洗】【湿法刻蚀】
接下来，研究人员希望进一步优化GaAs刻蚀条件，建立其他III-V族半导体的MacEtch参数。然后，他们希望展示设备制造，包括分布式布拉格反射激光器和光子晶体。【湿法制程设备】【湿法设备制造厂家】【rca清洗设备】【马兰戈尼干燥设备】【兆声清洗设备】【湿法刻蚀设备】
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