引言
等离子体蚀刻技术在微电子器件制造中的应用,促进了等离子体蚀刻技术的快速发展。自等离子体蚀刻首次广泛应用于设备制造时，对等离子体化学的新认识和理解就开始出现。如今，最先进的集成电路制造，主要依赖在各种材料中严格控制微米级特征的大规模复制，等离子蚀刻已经成为目前唯一能高效高产完成这项工作的技术。【设备】【设备】【】【晶圆清洗设备制造】【晶圆清洗设备制造厂家】
蚀刻过程背后的逻辑相当简单，在蚀刻过程中，化学去除晶片上未被保护的膜或层。例如，光刻在晶片上形成图案之后，使用蚀刻来去除不存在抗蚀剂的区域。在未来，也可以使用蚀刻来清除抗蚀剂，这一步还是需要等离子蚀刻。【rca清洗设备】【马兰戈尼干燥设备】【兆生清洗设备】【湿法刻蚀设备】【晶圆清洗设备】【KOH腐殖清洗机】
实验与讨论
英思特是在一种自制的直流实验室级等离子体蚀刻系统完成的。该系统由两个平行的等面积电极组成，阴极被阴极罩包围，阴极罩有一个中心圆形孔，阴极距离中心为3cm。一种自制的直流实验室级等离子体蚀刻系统。该系统由两个平行的等面积电极组成。【全自动晶圆清洗机】【RCA清洁设备】【湿法制程】【晶圆清洁设备】【】【全自动晶圆清洗机】
当施加电场时，可能会遇到在等离子体中形成活性物质的几种不同方式。
首先，电场从几个气体分子(如Ar)中剥离自由电子，这些电子以几种不同的方式与气体分子发生碰撞，在电离过程中，电子被撞散，形成带正电荷的分子或离子:在这个过程中，能量也会被带走。此外，与室壁的反应还会导致能量损失:Ar、Ar+壁产物。【RCA清洁设备】【马来西亚格尼干炎装备】【兆生清洗】【湿法刻蚀】
等离子体中的一些晶片也会与充电器种类反应。衬底表面的轰击物质产生蚀刻反应。在底物表面形成的反应产物必须具有足够的挥发性才能去除底物材料。
结论
图1：聚硅晶片的表面结构，无蚀刻
图2：CF3Br等离子体蚀刻后的多聚硅晶片的表面结构
图(1)清楚地显示了多硅晶片的表面结构，没有对其进行腐蚀处理。英思特为了蚀刻多硅晶片，使用CF3Br气体在40mT，2500伏特的操作条件下，在蚀刻槽内产生等离子体。随后将同一晶片暴露于CF3Br等离子体生成中持续30分钟。产生的等离子体包含不饱和碳氟化合物、CF2和CF3自由基。这些核素构成了一个高活性的低压CF3Br等离子体，可以腐蚀多硅晶片表面。
使用高压和低压增强了蚀刻效果（改变了离子轰击的物理成分），增加了晶圆的离子轰击的能量和强度，从而导致定向蚀刻（各向异性）的选择性较低。（如图2所示）最后，英思特注意到晶片表面会残留一些黑色物质，这是由于沉积的碳，为了处理这种效应，在CF3Br的情况下，可添加5%的O2保持晶片表面清洁，形成聚合物。
主要从事，晶圆清洗设备，RCA清洗机，KOH腐蚀清洗机、酸碱清洗设备、机、炉管清洗机等设备的设计、生产和维护，联系人缪经理，联系电话18012895988。