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抗腐蚀涂层的选择性湿化学蚀刻的机制与优化

浏览: 作者: 时间:2023-03-24

引言

耐腐蚀涂层(涂层)应用于金属部件,如工具和发动机叶片,它们受到导致磨损和侵蚀的条件。添加此陶瓷层是有利的,因为预计该层将增加零件的工作寿命。抗侵蚀涂层的例子包括氮化钛(氮化钛)和钛氮化铝(TiAlN)。在这两种方法中,TiAlN在其优越的机械性能方面似乎更可取。所应用的陶瓷涂层必须经过长时间的操作后进行更换,因为它最终也会被腐蚀。此外,涂层程序有时产生的零件不符合质量标准。在这些情况下,涂层必须在随后的重新应用之前被完全去除。剥离方法必须相对较快,对涂层具有较高的选择性,并且应该对环境很友好。有几种方法可以去除这种涂层,如等离子体蚀刻、激光烧蚀和湿式化学蚀刻。(KOH腐殖清洗机,全自动晶圆清洗机,RCA清洁设备,英思特,英思特半导体

实验

50450 RPM的搅拌速度下进行了两个实验。所有实验均在75°C下完成,初始浓度为5.9 mol/L过氧化氢和0.150 mol/L草酸钾。图5-1说明了反应器不同位置的过氧化氢浓度的变化。我们将位置2和位置3与位置1C1)进行了比较。在高速和低速下,不同位置的过氧化氢浓度变化很小,这表明在反应器内没有可观察到的浓度梯度。(湿法制程兆声清洗湿法刻蚀,半导体,江苏英思特半导体科技有限公司

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5-1.反应器不同位置的过氧化氢浓度相对于位置1C1)获得的浓度

第二组实验研究了叶轮转速对蚀刻速率的影响。所有实验都在与上述第一组实验相同的条件下进行。三种测试的混合速率分别为50300450 RPM。如果蚀刻速率随混合速度的变化很大,说明系统的外部传质系数也在增加。这一结果表明,该系统是在传质控制而不是动力学控制下建立的。图5-2显示,不同的蚀刻速率没有显著变化。(湿法制程设备,晶圆清洁设备,英思特半导体)

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5-2RPM变化对涂层腐蚀速率的影响

我们观察到,在50/分钟时获得的蚀刻速率略高于在更高的速度下获得的蚀刻速率。对该数据集进行单向方差分析,采用零假设,即转速不会影响蚀刻率,产生的p值为0.17。如果我们将临界p值设置为0.05,则不拒绝零假设。因此,我们不能得出混合速度影响蚀刻速率的结论,因此我们的系统处于动力学控制之下。

结果和讨论

我们选择了三种不同结构的羧基盐来进行测试:甲酸钾、乙酸钾和草酸钾。如图5-3所示,在相同的初始浓度下,甲酸钾(KCO2H)和醋酸钾(KCH3CO2)产生的蚀刻速率明显低于草酸钾。醋酸钾的蚀刻率低于甲酸钾。这一结果可以解释为,乙酸盐阴离子有一个额外的甲基,而这样一个相对较大的基团并不妨碍甲酸盐阴离子。另一方面,草酸钾在相同浓度下产生的蚀刻率比其他两种浓度要高得多。推测外羧酸官能团可能是观察到较高的蚀刻率的原因。为了验证这一点,将草酸钾的初始浓度降低了一半至0.113 M,以使羧基的摩尔浓度与甲酸盐和醋酸盐相等。草酸钾盐的产物

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