引言
金属卤化物钙钛矿(MHP)因其光电特性而引起越来越多的研究关注，最显着的推动因素是太阳能电池效率的快速提高。缺乏专门使用非极性溶剂的光刻技术是制造纳米级MHP设备的最大障碍之一。没有这种技术，MHP活性层和接触层的纳米结构化是不可能的。最近，在将已建立的光刻技术用于钙钛矿方面取得了进展。【设备】【设备】【】【晶圆清洗设备制造】【晶圆清洗设备制造厂家】【rca清洗设备】
纳米结构钙钛矿已通过纳米压印光刻法生产，通常使用聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）抗蚀剂。PMMA本身是合适的，因为它很容易在非极性溶剂中商购，并且高度可溶于许多其他非极性溶剂在这里，我们介绍并描述了基于非极性溶剂邻二甲苯、己烷和甲苯的MHP兼容PMMA工艺。基于邻二甲苯/己烷的显影剂显示出与广泛接受的1:3 MIBK/IPA溶液类似的显影性能，并显示出生产具有250 nm间距和50 nm 单线的线阵列的能力。【马兰戈尼干燥设备】【兆声清洗设备】【全自动晶圆清洗机】【RCA清洁设备】【晶圆清洁设备】【兆声清洗】
实验
PMMA EBL处理的一般方案如图1所示。通过旋涂沉积PMMA双层，然后使用EBL工具写入所需的图案。电子束曝光局部增加了PMMA薄膜的溶解度。开发通过选择性溶解暴露的 PMMA将写入的图案转移到PMMA抗蚀剂层，并且对于双层，创建底切。对于金属图案，沉积金属膜并溶解剩余的 PMMA，剥离未沉积在暴露的样品表面上的任何金属。对于厚金属层，双层底切轮廓增加了最后一步的成功率。【湿法设备制造厂家】【马兰戈尼干燥设备】
图1.PMMA-双层EBL处理方案
结果和讨论
非线性行为可能是由类肖特基接触引起的或屏蔽外部电场的离子迁移效应。我们的器件观察到的强烈光响应表明，非线性和类似滞后的I-V行为更可能是由离子迁移效应引起的，而不是不良的非欧姆接触。如果由于接触质量差而导致接触是非欧姆的，则预计器件与器件之间的差异会更加显着。由此我们可以得出结论，我们的方法可用于创建纳米级MHP电子设备。【晶圆清洗设备制造厂家】【湿法刻蚀设备】【英思特】【英思特半导体】【】
结论
江苏英思特半导体科技有限公司提出了一种基于与MHP兼容的非极性溶剂的EBL工艺。该工艺具有较大的工艺窗口，可用于创建纳米级结构。我们使用金属蒸发和剥离来创建设备，但该过程也应该与MHP本身的图案化兼容。因此，我们的结果允许基于自上而下处理的复杂纳米级MHP设备。【晶圆清洁设备】【湿法制程】
江苏英思特半导体科技有限公司主要从事，晶圆清洗设备，，KOH腐蚀清洗机、酸碱清洗设备、机、炉管清洗机等设备的设计、生产和维护，联系人缪经理，联系电话18012895988。