FSM是MOSFET晶圆减薄的关键工艺。MOSFET具有高开关速度、低输入阻抗和低功耗的特点，需要承受大电流。在工艺方面，它需要夹焊扩展电流路径来代替焊线，以降低线电阻和 RDS (on)（漏源导通电阻）。
FSM工艺旨在通过溅射沉积或无电镀形成UBM，然后进行夹焊以降低导线电阻。
在夹焊的情况下，需要在铝焊盘和夹之间使用凸块下冶金 (UBM) 焊接表面。UBM 由不同的金属元素组成，用于溅射沉积的是Ti/NiV/Ag，用于化学镀的是NiAu/NiPdAu。【设备】【设备】【】【晶圆清洗设备制造】【晶圆清洗设备制造厂家】
为什么只有部分晶圆需要FSM，哪些晶圆需要FSM？
对于要进行夹焊或混合焊的MOSFET组件（源极采用夹焊，栅极采用焊线），它们需要在铝焊盘上有一层UBM以连接到夹。也就是说，没有大电流应用的MOSFET组件可以在Al焊盘上直接进行引线键合，最终没有FSM。【兆声清洗设备】【湿法刻蚀设备】【晶圆清洗设备】
汽车电子和高级应用的可选方案——溅射沉积
溅射沉积工艺可概括为以下步骤： 1. 使用高真空溅射机在晶圆上沉积 Ti/NiV/Ag 层；2、涂光刻胶；3.光罩曝光显影（光刻）；4. 在蚀刻掉多余的 UBM（蚀刻工艺）之前屏蔽 Al 焊盘上表面。这是一种成熟、稳定、极其可靠的技术，早已被众多汽车电子和高端应用厂商所采用。【晶圆清洗设备制造】【晶圆清洗设备制造厂家】【rca清洗设备】【马兰戈尼干燥设备】
图 1：溅射沉积工艺需要多台机器和工艺，包括金属溅射、光阻涂层和显影、湿法蚀刻和光阻去除。
MOSFET FSM工艺的高CP替代方案——化学镀
上述溅射沉积工艺由于采用了多种工艺（包括高真空溅射、光刻和蚀刻），因此在生产成本较高和生产时间较长的情况下成熟稳定。这不可避免地会阻碍某些对成本更为敏感的 MOSFET组件制造商。【兆声清洗设备】【湿法刻蚀设备】【晶圆清洗设备】【全自动晶圆清洗机】
化学镀也称为化学镀，采用一系列基于化学物质的可控氧化还原反应，在没有任何外部电流帮助的情况下在晶圆表面沉积一层金属离子薄膜。化学镀最重要的特点是无需高真空溅射、光刻和蚀刻，通过一系列氧化还原反应选择性地在Al焊盘上沉积镍金/镍钯金。这不仅可以降低成本，还可以缩短生产时间。【KOH腐殖清洗机】【全自动晶圆清洗机】【RCA清洁设备】【英思特】【英思特半导体】
图 2：化学镀工艺仅要求一台机器执行一系列化学镀步骤；相对于溅射沉积所需的多步骤，化学镀以相对简单的工艺提供相同的结果。
化学镀生产流程
化学镀生产流程：检查晶圆表面，将晶圆盒放入机器的晶圆装载口，读取条码，从制造执行系统（MES）自动加载制造批次所需的配方，自动运行配方，制程结束后，系统提示操作人员将成品晶圆移出卸载口。这个看似简单的生产流程，其实是由精密控制下的综合化学反应组成。【湿法制程】【】【晶圆清洁设备】【马来西亚戈尼干炎装备】【湿法制程设备】【马兰戈尼干燥设备】
如图3所示，化学镀工艺从预处理开始，然后是第一次锌活化（锌化），用硝酸 (HNO3) 去除较粗的锌活化颗粒，第二次锌活化以形成更细的锌活化颗粒，然后以 NiAu/NiPdAu 沉积结束。【湿法刻蚀设备】【晶圆清洗设备制造】【晶圆清洗设备制造厂家】
图 3：化学镀流程图
主要从事湿法制程设备，晶圆清洗设备，，KOH腐蚀清洗机、酸碱清洗设备、机、炉管清洗机等设备的设计、生产和维护，联系人缪经理，联系电话18012895988。