引言
为了分析不同尺寸的金字塔结构对太阳能电池特性的影响，通过各种蚀刻工艺在晶片上形成了金字塔结构。本文采用碱性溶液蚀刻、反应离子蚀刻（RIE）蚀刻、金属辅助化学蚀刻（MACE）等一步刻蚀工艺，以及碱性溶液+ MACE和碱性溶液+ RIE等两步刻蚀工艺。用碱溶液形成的微型金字塔结构晶片的反射率高于纳米金字塔结构晶片。【设备】【设备】【】【晶圆清洗设备制造】【晶圆清洗设备制造厂家】
为了证实这一原因，英思特通过在金字塔s形成的晶片上沉积发射层，分析了表面特性。因此，在纳米金字塔结构晶片中，与微型金字塔结构晶片相比，由于发射极层的深度增加，薄片电阻特性更低，确定了由于高重组率而导致的量子效率的降低。【rca清洗设备】【马兰戈尼干燥设备】【兆声清洗设备】【湿法刻蚀设备】【晶圆清洗设备】
实验与讨论
为了根据各种表面蚀刻的锥体结构分析细胞特性，英思特采用了p型单晶片。首先，为了在进行表面蚀刻之前去除晶片基板上的杂质，按照丙酮、甲醇和去离子水的顺序进行了10 min的超声波清洗。用10%盐酸溶液去除金属杂质，用10% HF溶液去除天然氧化物膜后，用去离子水充分洗涤晶片，然后用氮气干燥。【KOH腐殖清洗机】【全自动晶圆清洗机】【RCA清洁设备】【英思特】【英思特半导体】【半导体】【湿法制程】【】
表面蚀刻工艺分为一步法和两步法。一步蚀刻过程通过三种方法进行：碱溶液蚀刻、氢氧化钾溶液蚀刻、MACE蚀刻和RIE蚀刻。两步蚀刻过程通过两种方法进行：使用碱溶液和MACE蚀刻，以及使用碱溶液和RIE蚀刻。【马来西亚戈尼干炎装备】【兆声清洗】【湿法刻蚀】【】【湿法设备制造厂家】【rca清洗设备】【马来戈尼干燥设备】【兆声清洗设备】
在蚀刻过程开始之前，使用氢氧化钾溶液去除对裸晶片的锯片损伤。图1显示了表面蚀刻工艺前和SDR工艺后的裸晶圆的横截面图像。使用氢氧化钾溶液的SDR工艺在工艺温度为70℃，工艺时间为20 min下进行。【湿法制程设备】【晶圆清洁设备】【】【KOH腐殖清洗机】【全自动晶圆清洗机】【RCA清洁设备】
图1：SDR工艺前后碳硅晶片的横截面扫描电镜图像
经过表面蚀刻工艺后，用炉形成发射体层。图2显示了根据各种蚀刻工艺方法形成发射极过程后的晶圆的横截面扫描电镜图像。扫描电镜图像是n型发射体形成的结果，根据金字塔结构清晰地显示了发射体的形成结构。这是通过沉积过程中掺杂剂的影响和发射层形成过程中扩散过程中的扩散深度的影响来判断的，可以通过发射层层形成过程的示意图来解释，如图18所示。【湿法刻蚀设备】【晶圆清洗设备】【晶圆清洗设备制造】【晶圆清洗设备制造厂家】
图2：根据各种蚀刻工艺方法，发射极形成后的SEM图像
图3：根据金字塔尺寸计算的发射器形成过程示意图
结论
英思特通过各种蚀刻方法在晶片上形成了不同尺寸的金字塔结构，确定了具有低反射率的纳米金字塔结构晶片的电池特性更高，并证实了微锥体结构晶片的量子效率特性更高。由于掺杂层的影响，微金字塔结构的晶片具有更高的量子效率特性。低反射率的表面纹理过程对提高效率非常重要。【英思特】【英思特半导体】【全自动晶圆清洗机】
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