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硅片的批量蚀刻及聚酰亚胺膜的研制

浏览: 作者: 时间:2023-06-02

引言

硅是一种很有吸引力的微加工材料,原因有很多:它在半导体工业中具有有用的、公认的机械性能和明确的加工技术。硅支撑结构上的膜大多是基于氧化物或氮化物(如二氧化硅或氮化硅)的绝缘膜,但这些膜往往是脆弱的,容易断裂。【KOH腐殖清洗机】【全自动晶圆清洗机】【RCA清洁设备】【rca清洗设备】【马兰戈尼干燥设备】

本研究工作的主要目标之一是生产一种低热容、坚固的膜支撑作为薄膜气体传感器衬底。聚酰亚胺(PI)膜是一种明显的既坚固的候选材料,又能承受敏感传感器层所需的高温,其支撑结构是一个硅片,它是从膜制造的感兴趣的领域批量蚀刻的。一般的膜结构如图1所示。【兆声清洗设备】【湿法刻蚀设备】【晶圆清洗设备】【兆声清洗设备】

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1:基本的大块蚀刻膜

实验与讨论

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2:PI2575的自旋速度曲线

在去离子水中蚀刻和适当的洗涤后,样品一边覆盖着Cr/Au,另一边覆盖着蚀刻的窗户,准备实现PI膜。该材料是一种自引物,不需要任何粘附促进剂,其溶液是具有高度粘性的,必须在旋转前有一个短的延迟,以允许聚酰亚胺尽可能地流动和放松。这种旋转的延迟避免了涂层中的气泡或彗星。结果表明,较长的旋转时间提高了涂层的均匀性,但降低了膜的厚度。聚酰亚胺的自旋速度曲线如图2所示。【湿法刻蚀设备】【晶圆清洗设备】【晶圆清洗设备制造厂家】

通过这种蚀刻,铬膜通过选择性窗口暴露出来。聚酰亚胺膜通过蚀刻暴露的铬和金层来释放。样品在去离子水中冲洗,用缓慢吹干氮气干燥。最终的膜结构如图3所示。然后利用硅上带有聚酰亚胺膜的样品开发了微加热器和四个传感器元件的传感阵列。【湿法制程】【湿法制程设备】【晶圆清洁设备】【RCA清洗机

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3:最终的膜结构

结论

本文详细介绍了聚酰亚胺膜的制备过程。英思特使用四甲基氢氧化铵TMAH溶液在90下对250微米厚的硅片进行4小时的蚀刻,并利用扫描电镜和原子力显微镜技术测定了膜的表面平整度。英思特公司研究证实聚酰亚胺膜比二氧化硅或氮化硅更坚固耐用,重现性和重复性较好。【RCA清洗机】【KOH腐殖清洗机】【全自动晶圆清洗机】

江苏英思特半导体科技有限公司主要从事湿法制程设备,晶圆清洗设备,RCA清洗机,KOH腐蚀清洗机、酸碱清洗设备、有机清洗机、炉管清洗机等设备的设计、生产和维护,联系人缪经理,联系电话18012895988。