光刻是芯片制造中的一种图形化工艺。该过程涉及将图案从光掩模转移到基板上。这主要是使用配备了光学光源的步进器和扫描仪完成的。其他形式的光刻包括直写电子束和纳米压印。还有几项正在研发的下一代光刻（NGL）技术，如极紫外（EUV）、多束电子束和定向自组装（DSA）。【设备】【制造厂家】
随着摩尔定律将半导体技术路线图推向1 µm 以下，生产尖端芯片需要源源不断的新技术。对于该路线图的大部分内容，支持工程解决方案都在处理方面。例如 i-line 的开发，然后是KrF和ArF光源，先进的抗蚀剂化学等。【rca清洗设备】
光刻的应用
随着继续缩小间距，也将光刻k1（表示光刻工艺的难度）降低，目前我们只能使用193nm/1.35NA扫描仪。当k1降至0.6以下时，单靠扫描仪无法分辨晶圆上的图像，必须开发新的EDA软件来弥补分辨率损失。该软件从基于规则的最佳邻近校正(OPC)开始，随着我们继续沿着曲线前进，我们添加了基于模型的OPC、子分辨率辅助功能 (SRAF) 和类似技术。【全自动晶圆清洗机】
这扩展了光刻工具的使用，并且因为调整是在流片后应用的（在掩模准备阶段），设计人员不必了解它们。在20纳米，k1 降至 0.25 以下，需要一种全新的技术，即双图案化。14nm 需要三重图案化或间隔物辅助双重图案化，这一趋势仍在继续。事实上，即使最初的EUV扫描仪能力达到11nm，我们可能仍然需要使用EUV对某些层进行双重图案化。【湿法设备制造厂家】
与不需要设计人员参与的OPC的引入不同，双图形(DP)解决方案将对设计人员提出新的布局、物理验证和调试要求。考虑在每个节点启用的解析能力的增加。对于 90、65 和 28 纳米节点，大部分提高的分辨率都以新的扫描仪功能的形式出现。对于45和20纳米节点，几乎所有提高的分辨率都来自基于软件的解决方案。一些软件和额外的工作正在“悄悄”进入设计。【兆声清洗设备】
这种从制造要求到设计的迁移始于65nm的一些建议活动，例如建议的规则合规性、光刻检查和关键区域分析 (CAA)。在45nm点，需要进行一些光刻模拟检查。20nm 需要双图形、光刻模拟和智能填充，大力推动CMP模拟、CAA 和推荐规则合规性。【晶圆清洗设备】【晶圆清洗设备制造厂家】
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